IRLZ24N N-Kanal Logic Level MOSFET TO-220

IRLZ24N, Arduino, mikrodenetleyici ve elektronik anahtarlama devrelerinde kullanılabilen N-kanal logic level güç MOSFET modelidir.

Logic level gate yapısı sayesinde düşük gate gerilimleriyle sürülmeye uygundur. Bu nedenle Arduino, ESP32, Raspberry Pi Pico ve benzeri geliştirme kartları ile LED şerit, DC motor, röle bobini, fan, solenoid ve benzeri DC yüklerin anahtarlanmasında tercih edilebilir.

TO-220 kılıf yapısı sayesinde breadboard, delikli pertinaks ve PCB uygulamalarında kullanılabilir. Yüksek akım veya uzun süreli kullanım gereken devrelerde uygun soğutucu ve doğru devre tasarımı yapılmalıdır. Endüktif yüklerde MOSFET’i korumak için uygun diyot veya koruma elemanları kullanılması önerilir.

Öne Çıkan Özellikler

• IRLZ24N N-kanal güç MOSFET
• Logic level gate sürme yapısı
• Arduino ve mikrodenetleyici projelerine uygundur
• TO-220 kılıf
• DC yük anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir
• LED şerit, fan, motor ve röle kontrol devreleri için uygundur
• Hızlı anahtarlama yapısı
• Düşük RDS(on) değeri
• PWM kontrollü uygulamalarda kullanılabilir
• Hobi elektroniği, robotik ve otomasyon projeleri için uygundur

Teknik Özellikler

• Ürün tipi: Güç MOSFET
• Model: IRLZ24N
• Kanal tipi: N-kanal
• Gate tipi: Logic level
• Kılıf tipi: TO-220
• Maksimum drain-source gerilimi, VDS: 55V
• Maksimum drain akımı, ID: 18A
• Maksimum güç dağılımı: 45W
• RDS(on): 60 mΩ maksimum, VGS 10V değerinde
• RDS(on): 105 mΩ maksimum, VGS 4.5V değerinde
• Çalışma sıcaklığı aralığı: -55°C ~ +175°C
• Kullanım amacı: DC yük anahtarlama, PWM kontrol ve güç kontrol devreleri

Kullanım Alanları

• Arduino MOSFET anahtarlama devreleri
• DC motor kontrol projeleri
• LED şerit kontrolü
• Fan kontrol devreleri
• Röle bobini sürme devreleri
• Solenoid ve elektromıknatıs kontrolü
• PWM hız ve parlaklık kontrol uygulamaları
• Robotik projeler
• Otomasyon devreleri
• Güç elektroniği ve hobi elektroniği çalışmaları

Kullanım Notu

• Yüksek akımda kullanımda uygun soğutucu gerekebilir.
• Motor, röle, solenoid gibi endüktif yüklerde flyback diyot veya uygun koruma devresi kullanılmalıdır.
• Mikrodenetleyici ile kullanımda gate direnci ve gate pull-down direnci kullanılması önerilir.
• Maksimum değerler pratik kullanım sınırı olarak düşünülmemeli, devre tasarımında güvenlik payı bırakılmalıdır.